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Ayiti
DDR4Results: 53
Manifakti
SAMSUNG
K4AAG165WB-MCRC
16 Gb 1G x 16 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
114500
1+87.00000
10+65.25000
30+56.55000
K4A8G165WB-BIRC
8 Gb 512M x 16 2400 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
3318
1+14.20000
10+12.78000
30+9.94000
K4A8G165WC-BITD
8 Gb 512M x 16 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
16752
K4A8G085WB-BITD
8 Gb 1G x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
19189
K4AAG085WA-BCTD
16 Gb 2G x 8 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
21058
K4AAG165WB-MCPB
16 Gb 1G x 16 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
17263
K4AAG165WA-BCTD
16 Gb 1G x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
10844
1+7.96000
10+7.16400
30+5.57200
K4A8G085WC-BIWE
8 Gb 1G x 8 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
3550
1+10.01280
10+9.01152
30+7.00896
K4A8G165WB-BCWE
8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
24756
K4A8G045WB-BCRC
8 Gb 2G x 4 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
24868
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