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Ayiti
DDR4Results: 53
Manifakti
SAMSUNG
K4A8G165WC-BIWE
8 Gb 512M x 16 3200 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 96FBGA Mass Production
17075
K4A8G045WC-BCPB
8 Gb 2G x 4 2133 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
25205
K4A4G165WE-BCWE
4 Gb 256M x 16 3200 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
14339
K4A4G085WE-BITD
4 Gb 512M x 8 2666 Mbps 1.2 V -40 ~ 95 °C 78FBGA Mass Production
20168
K4A8G165WB-BIWE
19714
K4A8G165WC-BCRC
8 Gb 512M x 16 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
2100000
1+7.54600
10+6.79140
30+5.28220
K4AAG085WB-MCRC
16 Gb 2G x 8 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
24885
K4A8G085WB-BCRC
8 Gb 1G x 8 2400 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
2482
1+6.40000
10+5.76000
30+4.48000
K4A8G165WB-BCRC
45000
1+6.06000
10+5.45400
30+4.24200
K4ABG165WA-MCTD
32 Gb 2G x 16 2666 Mbps 1.2 V 0 ~ 85 °C 96FBGA Mass Production
2008
1+26.75440
10+20.06580
30+17.39036
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